報告人：呂俊鵬 教授 東南大學
報告時間：2021年11月25日上午10：00
報告地點：騰訊會議ID 579186346
報告題目：二維材料缺陷光物理與光電器件應用
報告人簡介：
呂俊鵬，東南大學青年首席教授，博導，國家青年高層次人才，江蘇省“雙創(chuàng)團隊”領軍人才，江蘇省“雙創(chuàng)人才”，東南大學“紫金青年學者”。主要從事微納光學、光電子學等研究工作，在低維材料光與物質相互作用前沿研究中取得了創(chuàng)新性的研究成果，被Science Daily，Nano Werk，R&D Magazine，Science Newline，Phy.org等科學媒體廣泛報道。承擔或聯合承擔國家自然科學基金委重大研究計劃培育項目、青年項目、科技部重點研發(fā)項目、江蘇省“六大人才高峰”項目等。擔任全國納標委低維納米工作組副秘書長，《物理實驗》編委，Chinese Physics Letters (CPL)、Chinese Physics B (CPB)、《物理學報》和《物理》四刊聯合青年編委，《半導體學報》、《量子電子學報》青年編委，中國儀器儀表學會光學儀器分會理事，江蘇省物理學會電磁材料與器件分委會秘書長，江蘇省青聯委員，省青科協理事，省僑聯青年委員會常務委員。
報告簡介：
作為后石墨烯時代的新型二維材料，過渡金屬硫族化合物呈現半導體特性，并且其電子結構隨層數可調，隨著層數由多層減薄致單層，其能帶結構由間隙帶隙轉變?yōu)橹苯訋叮蚨蓪崿F光致發(fā)光。大部分二維過渡金屬硫化物的帶隙大小位于可見光范疇，為其在顯示、照明、可見光通信等領域的應用奠定了基礎。本次報告將匯報三方面的內容：1.二維過渡金屬硫化物熒光圖案化方面的研究進展，從邊界態(tài)、缺陷空間分布、物理/化學吸附等方面探索了導致單層過渡金屬硫化物熒光圖案化的原因，并利用缺陷工程實現了熒光量子產率的提升。2.新型半導體材料光電轉換機理研究，利用時間分辨太赫茲時域光譜技術，探測分析缺陷對光電轉換器件中載流子動力學、瞬態(tài)光電導等行為的影響。3.二維高性能光電器件，利用二維/三維復合技術，實現特定功能硅基光電芯片。
集成電路科學與工程學院
2021年11月24日
